MOFETモデルパラメータのスイープ |
集積回路の設計では、市販の半導体素子を使用する場合と異なり、MOSFETのサイズパラメータを、1素子毎に自分で設定する必要がある。LTspiceの標準Componentに含まれる nmos4, pmos4 を使用することで、各MOSFET毎に、集積回路設計に必要なパラメータ値を与えることができる。パラメータを与えなくてもシミュレーションはできるが、デフォルト値が使用されるため、シミュレーション結果が実際と大幅にずれることになる(特に過渡応答解析)。レイアウト設計をしないと正確には分からないパラメータ値もあるが、大体の値でよいので全ての値を入れておく必要がある。
Parameters | 意味 |
---|---|
Model Name | モデルパラメータファイルの中に .model に続いて書かれている |
Length(L) | ゲート長 L |
Width(W) | ゲート幅 W |
Drain Area(AD) | ドレイン領域の面積 W*D |
Source Area(AS) | ソース領域の面積 W*D |
Drain Perimeter(PD) | ドレインの周囲長(ゲート側は除く) W+2D |
Source Perimeter(PS) | ソースの周囲長(ゲート側は除く) W+2D |
No. Parallel Devices(M) | 並列接続数(※) |
当然、WやDを変数とした場合、AD, AS, PD, PS も変数で表す必要がある。概略の固定値を入れておいても良いが、正確を期したいのであれば、上記のパラメータを全て{変数名}とし、.paramコマンドで、変数に計算値を代入する。例えば、W={Wn}(スイープ変数)、 D=3u(定数)の場合、
のようにし、回路図エディタより、下記の計算値を代入する。
.step param Wp 10u 30u 1u .param ADp=Wp*3u ASp=Wp*3u PDp=Wp+6u PSp=Wp+6u Mp=1
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